超高純度CVD-SiC単体を先端ビットに使用した
シリコンウェハー専用ハイテクピンセット。
●真空蒸着(CVD)法による不純物ppbレベルの超高純度SiC(炭化ケイ素)を先端ビットに装着した画期的な製法によるシリコンウェハー専用ピンセット。
●従来のステンレス製ピンセットの重大な欠点であったシリコンウェハーへの重金属汚染が全くありません。
●耐薬品性と耐熱性に極めて優れ、弗硝酸等によるウェハー洗浄工程での使用も可能です。
●軽量(ρ=3.8)、非磁性、耐摩耗性に優れる等の特徴もあります。
●ピンセット本体は、耐蝕性、非磁性、軽量等の特性を備えたチタニウムです。全長150?
●特性
項目特性値 密度(kg/M3)3.21×103 曲げ強度※ (kgf/mm2)80引張り強度※ (kgf/mm2)60
ヤング率(kgf/mm2)50,000
硬さ(kgf/mm2)HK:3,500線膨張係数(I/℃)4.5×10-6熱伝導率※ (cal/cm・s・℃)0.16比抵抗(Ω・m)102(※)室温での値
●耐蝕性
雰囲気温 度時 間重量変化6N
HCI沸点
(110℃)1470h認められず9N
HNO3沸点
(116℃)1470h認められず19N
H2SO4沸点
(128℃)1470h認められず弗硝酸・17%HF・83%HNO3室温532h認められず王水80℃186h認められず大気中1500℃146h認められずHCIガス1200℃25h
●不純物含有量
元素濃度(単位:ppb)Cu