エンジニア　ウェハー　PTZ-01

超高純度CVD-SiC単体を先端ビットに使用した
シリコンウェハー専用ハイテクピンセット。

<<特長>>
●真空蒸着(CVD)法による不純物ppbレベルの超高純度SiC(炭化ケイ素)を先端ビットに装着した画期的な製法によるシリコンウェハー専用ピンセット。
●従来のステンレス製ピンセットの重大な欠点であったシリコンウェハーへの重金属汚染が全くありません。
●耐薬品性と耐熱性に極めて優れ、弗硝酸等によるウェハー洗浄工程での使用も可能です。
●軽量(ρ=3.8)、非磁性、耐摩耗性に優れる等の特徴もあります。
●ピンセット本体は、耐蝕性、非磁性、軽量等の特性を備えたチタニウムです。全長150?


<<製品仕様>>
●特性

項目	特性値
密度(kg/M3)	3.21×103
曲げ強度※ (kgf/mm2)	80
引張り強度※ (kgf/mm2)	60
ヤング率(kgf/mm2)	50,000
硬さ(kgf/mm2)	HK:3,500
線膨張係数(I/℃)	4.5×10-6
熱伝導率※ (cal/cm・s・℃)	0.16
比抵抗(Ω・m)	102

(※)室温での値

●耐蝕性

雰囲気	温　度	時　間	重量変化
6N HCI	沸点 (110℃)	1470h	認められず
9N HNO3	沸点 (116℃)	1470h	認められず
19N H2SO4	沸点 (128℃)	1470h	認められず
弗硝酸・17%HF・83%HNO3	室温	532h	認められず
王水	80℃	186h	認められず
大気中	1500℃	146h	認められず
HCIガス	1200℃	25h

●不純物含有量

元素	濃度(単位:ppb)
Cu	<100
K	<60
Mo	<40
Fe	35
Cr	26
Zn	9
Mn	9
W	< 4
Na	< 2
Co	1.3
La	0.8
Ag	0.8
Hf	0.32
Au	<0.09
Sc	<0.01

■交換用　SiC先端　(PTZ-90)